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活動内容
講演会
2019年11月度SSISフォーラム開催案内

2019年11月度 SSISフォーラム開催案内

一般社団法人半導体産業人協会
理事長　内海忠
講演企画委員長　内山邦男

平素、SSISフォーラムにご出席いただき、厚くお礼申し上げます。

昨今、地球温暖化に対する議論が世界レベルで大きく取り上げられ、またAIが発展し、データ通信は5G時代に突入しようという状況で、必要な電力は増加し、10年後には、日本の総発電量でも賄えなくなると予想されています。この問題解決のためには、SiLSIで構成されているハードウェアの根本的な改善が必要と指摘されています。

今回のフォーラムでは、株式会社半導体エネルギー研究所の山﨑舜平氏を講師に迎え、電力消費の抑制の可能性を持つ結晶性酸化物半導体(OS：Oxide Semiconductor)技術についてご講演頂き、将来のキーテクノロジーとして期待される結晶性IGZOについて、その物性とLSI・ディスプレイへの応用例を紹介して頂きます。

皆様のご参加をお待ちしております。

講演概要

「結晶性IGZOの物性とディスプレイ・AI・IoTへの応用」

株式会社半導体エネルギー研究所　代表取締役
山﨑舜平氏

講演要旨

昨今、地球温暖化を如何に止めるかが国連総会でも大きく取り上げられ、何らかの対策を講じない限り人類すら滅びると論じられています。他方、人類はAI技術を発展させ、データ通信は5G時代に突入しようとしています。AI・IoTに必要な電力は増加し、10年後には、日本の総発電量でも賄えなくなると予想されています。この解決には、SiLSIで構成されているハードウェアの根本的な改善が必要です。

我々の提案する結晶性酸化物半導体(OS：Oxide Semiconductor)、特にCAAC-IGZOを採用したFET(OSLSI)は、SiFETに比べスイッチング特性に優れており、オフ電流がyA(10−24 A)/μm (at 85 ℃)と極めて低い値を示します。この特長を利用したNoff CPU・AIアクセレータ、AR/VR、8Kイメージセンサ、あらゆるディスプレイ、およびメモリ(DRAM、フラッシュメモリ、3D OS NAND)ならば、電力消費を抑えられる可能性があります。

本講演では、将来のキーテクノロジーとして期待される結晶性IGZOについて、その物性とLSI・ディスプレイへの応用例を紹介します。

日時	2019年11月20日(水) 　15：30－18：00
プログラム	15:30　～　16:45 「結晶性IGZOの物性とディスプレイ・AI・IoTへの応用」～山﨑舜平氏～（@林野会館　5Fホール） 17:00　～　18:00 交流会（@林野会館　6F　604号室）
会場	林野会館（東京・茗荷谷）文京区大塚3-28-7、TEL.03-3945-6871 地下鉄東京メトロ丸の内線「茗荷谷」駅より徒歩７分
参加費	SSIS会員 3,000円（交流会込み）一般 4,000円（講演のみ）　 6,000円（講演及び交流会）参加費は当日会場にて申し受けます。なお、会員でない方は、当日の入会申込が可能です。
募集	募集人員　80名（会場の都合により定員を超えた時点で募集を打ち切らせて頂きます）
参加申し込み	SSIS事務局行（FAX：03-6457-3246　E-Mail ：info@ssis.or.jp でも承ります）
詳細資料	講演内容詳細・お申込みなどはこちらの詳細資料からご確認ください。 2019年11月度SSISフォーラムのご案内（pdf）